超长单壁碳纳米管阵列研究取得突破性进展
摘 要:
硅基底上的平行超长单壁碳纳米管阵列闲有望在大规模集成电路中应用而备受关注，但是目前的制备方法还存在许多问题，由于不能大批量制备大规模的高质量样品而严重制约了其性质和应用研究。近日，北大化学学院李彦教授课题组在数年来有关单壁碳纳米管表面生长研究的基础上，通过对生长机制的深入分析，提出创新性思路，在高质量平行超长单壁碳纳米管阵列的制备方面取得了突破性进展。 (共1页)
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O613.71[数理科学和化学 > 化学 > 无机化学 > 非金属元素及其化合物 > 第Ⅳ族非金属元素（碳和硅）及其化合物 > 碳C]相关文章:
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