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荷兰
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Materials Science Reports JST
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被引量 11,064

  • 主办单位： Elsevier
  • 出版地区： Amsterdam
  • 国际标准连续出版物号： ISSN 0920-2307
  • 创刊时间： 1986年
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Ion ImplantationCollision Cascadethe Electrical PropertiesPhase FormationAtomic Layer EpitaxyMetal-Semiconductor InterfacesSelf-Propagating High-Temperature SynthesisAmorphous SiliconEpitaxial GrowthIon-implanted SiliconSubstrate OrientationToughening MechanismDielectric Thin FilmsSynchrotron SourcesScattering TechniquesFailure ProcessesPolymer DegradationPrinciple of OperationNeutron RadiationImplanted Ions

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1993年5期
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