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Materials Science Reports
JST
- 主办单位： Elsevier
- 出版地区： Amsterdam
- 国际标准连续出版物号： ISSN 0920-2307
- 创刊时间： 1986年
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Ion ImplantationCollision Cascadethe Electrical PropertiesPhase FormationAtomic Layer EpitaxyMetal-Semiconductor InterfacesSelf-Propagating High-Temperature SynthesisAmorphous SiliconEpitaxial GrowthIon-implanted SiliconSubstrate OrientationToughening MechanismDielectric Thin FilmsSynchrotron SourcesScattering TechniquesFailure ProcessesPolymer DegradationPrinciple of OperationNeutron RadiationImplanted Ions
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